。本冊為《半導體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學制備與提純、半導體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書系統(tǒng)總結(jié)具有電子相變特性的過渡族化合物半導體材料體系，詳細介紹其晶體結(jié)構(gòu)、電輸運與磁性、電子相轉(zhuǎn)變原理、材料合成與潛在應用等。全書共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見電子相變原理。由于具有相同的價電子數(shù)的過渡族元素的化合物中的軌道構(gòu)型具有一定相近性，第2～11章將進一步按照副族周期元素對三十余種電子

第一章介紹了光子計算機發(fā)展的歷史以及神經(jīng)網(wǎng)絡的概念。第二章重點介紹了物理儲層計算的原理，以及一些與光子計算相關(guān)的重要概念——品質(zhì)因數(shù)、拓撲網(wǎng)絡、線性和非線性記憶容量。第三章介紹了儲層集成的最新技術(shù)，主要集中在被動架構(gòu)的實現(xiàn)，以及如何通過光電探測器實現(xiàn)非線性變換的原理。第四章介紹了大規(guī)模光子儲層的潛力，重點討論了幾種可以

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術(shù)難點及對應的生長技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡要介紹MOSFET場效應晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎上，全面敘述了MOSFET基本電學特性和二階效應；介紹了MOSFET器件模型及建模測試結(jié)構(gòu)和方案設計；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導體器件SPICE模型建模平臺EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書主要介紹薄膜晶體管（TFT）集成電路技術(shù)領域的基礎知識和作者在該領域的代表性研究成果。內(nèi)容涵蓋圖像顯示和圖像傳感器件所需的TFT集成電路技術(shù)，如像素TFT電路、行驅(qū)動（掃描）TFT電路以及列（數(shù)據(jù)）驅(qū)動TFT電路等。全書共5章，分別為：薄膜晶體管（TFT）概述，有源矩陣液晶顯示（AMLCD）TFT電路，有源矩陣有機

本書將半導體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過簡明扼要的語言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時代、“新石器時代”——晶體管時代、“戰(zhàn)國時代”——中小規(guī)模集成電路時代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時代、“走進新時代”—

本書力圖全面深入地介紹太陽能電池的原理、技術(shù)與應用，為讀者提供一本兼具理論深度和實踐指導的權(quán)威之作。本書詳細闡釋了太陽能與太陽能電池的基本物理原理與特性，系統(tǒng)梳理了各類太陽能電池的發(fā)展脈絡，深入探討了太陽能電池的測試原理與分析方法，重點介紹了太陽能電池性能提升的前沿技術(shù)，進一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設計與應用。

本書內(nèi)容主要內(nèi)容為概述、IGBT模塊電氣特性、驅(qū)動器設計、IGBT多器件驅(qū)動控制技術(shù)、驅(qū)動器可靠性設計、驅(qū)動器試驗及測試、大功率IGBT驅(qū)動器應用案例。本書系統(tǒng)、深入地闡述了IGBT及其驅(qū)動器的技術(shù)發(fā)展等。

本書為《新興半導體》分冊。新興半導體發(fā)展迅速、應用領域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強、節(jié)能潛力大，被公認為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領域具有廣闊的應用前景。本分冊圍繞新興半導體這一“核芯”領域，從高載流子遷移率半導體材料、憶阻半導體材料、新型紅外半導體材料及超寬禁帶半導體材料