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本書根據(jù)作者從事半導(dǎo)體材料研究所積累的理論知識(shí)、工作經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)資料，在查閱了大量的書籍和文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上，將與半導(dǎo)體材料專業(yè)技術(shù)相關(guān)的知識(shí)要點(diǎn)提取出來，并根據(jù)作者的理解將相關(guān)內(nèi)容分成6個(gè)部分，即半導(dǎo)體材料概述、材料物理性能、晶體生長(zhǎng)、熱處理、材料性能測(cè)量和半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)技術(shù)。其中半導(dǎo)體材料物理性能被劃分為三大類12個(gè)方

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本書基于作者多年從事LED芯片設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的經(jīng)驗(yàn)，詳細(xì)介紹了提高水平結(jié)構(gòu)LED芯片、倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片和高壓LED芯片外量子效率的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。采用微加工技術(shù)在水平結(jié)構(gòu)LED芯片的正面、底面和側(cè)面集成微納光學(xué)結(jié)構(gòu)，提高其發(fā)光效率。采用高反射率、低阻P型歐姆接觸電極和通孔接觸式N型電極提高倒裝結(jié)構(gòu)LED芯

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