擬申報中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)一流規(guī)劃教材。本書專為高年級本科生以及研究生的教學(xué)所需設(shè)計，主要介紹半導(dǎo)體器件基本原理的知識內(nèi)容，反映當(dāng)今半導(dǎo)體器件在概念和性能等方面的最新進展，可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場效應(yīng)、微波和光子器件的性能特點。

本書首先深入探討了量子力學(xué)基礎(chǔ)及其在物質(zhì)、能帶理論、半導(dǎo)體和集成電路等領(lǐng)域的應(yīng)用。從電子的波動性質(zhì)、不確定性原理到量子隧穿效應(yīng)，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的解析，闡明了半導(dǎo)體材料的電子行為。此外，還詳細介紹了摻雜半導(dǎo)體、晶格振動以及載流子輸運現(xiàn)象等關(guān)鍵概念。最后，探討了MOS結(jié)構(gòu)、場效應(yīng)

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標(biāo)準(zhǔn)和培訓(xùn)教材（高級）為依據(jù)進行編寫。題庫重點圍繞生產(chǎn)管理與準(zhǔn)備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術(shù)、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關(guān)鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開關(guān)器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關(guān)文獻，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢�！短蓟�硅器

本書不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應(yīng)用中不同類型的器件結(jié)構(gòu)，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設(shè)計、制造，以及智能功率集成中的技術(shù)細節(jié)。也討論了寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的柵極驅(qū)動設(shè)計，以及SiC和GaN功率器件的應(yīng)用。最后對寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的未來發(fā)展進行了展望。

目前以有機/聚合物和半導(dǎo)體量子點為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國內(nèi)外眾多企業(yè)和人士的廣泛關(guān)注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關(guān)鍵材料的開發(fā)與應(yīng)用技術(shù)出發(fā)，內(nèi)容涵蓋有機電致發(fā)光概念與過程、有機電致發(fā)光材料、有機電致發(fā)光器件、半導(dǎo)體量子點材料、半導(dǎo)體量子點電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反

本書主要介紹了基于光學(xué)超晶格的光波長轉(zhuǎn)換技術(shù)，首先介紹了光學(xué)超晶格的基本概念以及基于光學(xué)超晶格的光波長轉(zhuǎn)換基本原理，其中包括基于不同效應(yīng)的光波長轉(zhuǎn)換原理及實現(xiàn)方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學(xué)超晶格結(jié)構(gòu)設(shè)計中的應(yīng)用；然后分別講解了均勻分段結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格、階梯分段結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格、啁啾結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格及其在光波長

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導(dǎo)體的全貌、功率半導(dǎo)體的基本原理、各種功率半導(dǎo)體的原理和作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅片、功率半導(dǎo)體制造工藝的特點、功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化

本書基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變