傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術鏈條的最前端。本書從氣體傳感器的應用領域和系統(tǒng)分類出發(fā)，重點圍繞基于混成電位原理的固體電解質氣體傳感器的研究進展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢進行介紹。本書主要內容包括固體電解質氣體傳感器的種類和特點、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構筑、其他增感策略以

全書共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論、數(shù)值模擬方法、表征技術及應用�？臻g輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結構密切相關。

本書概述了氮化物半導體及其在功率電子和光電子器件中的應用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，并提出了將它們與2D材料結合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導性和

本書內容講述：經(jīng)典半導體制備及器件光刻工藝通常受制于價格高昂的設備、繁瑣冗長的制程及嚴重水電消耗。液態(tài)金屬印刷半導體技術的出現(xiàn)，以一種自下而上的全新方式實現(xiàn)了對Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及更多類型半導體的大面積低成本印制，由此可快速構筑二極管、三極管、晶體管乃至集成電路和功能芯片，這一模式打破了傳統(tǒng)半導體制造

超結是功率半導體器件領域的創(chuàng)新的耐壓層結構之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質變?yōu)镻N結型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研

單片智能功率芯片是一種功能與結構高度集成化的高低壓兼容芯片，其內部集成了高壓功率器件、高低壓轉換電路及低壓邏輯控制電路等，高壓厚膜SOI基橫向IGBT器件（高壓厚膜SOI-LIGBT器件）在其中被用作開關器件，是該芯片中的核心器件，其性能直接決定了芯片的可靠性和功耗。本書共7章：介紹了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結構的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設備等領域的應用奠定了理論和實驗基礎。

本書以著名光子學家郭光燦院士指出的“書乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識其真要，奉獻讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術和應用技術為用。首先對各種單元技術結構特點、運轉機理等基礎知識進行介紹；然后分別介紹激光調制、偏轉、調Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學、激光微束等技術，其

本書是一本關于可調諧二極管激光吸收光譜和波長調制光譜技術有機結合的根本原理及應用研究著作，全面系統(tǒng)地闡述可調諧二極管激光吸收光譜和波長調制光譜技術的理論體系，重點凸顯了技術體系中所涉及的光路與電路設計方法。全書內容涵蓋了紅外吸收光譜的基礎理論、波長調制光譜的基礎理論、波長調制光譜技術的光路結構設計、硬件電路結構設計以及

本書內容包括4部分。第1部分介紹功率半導體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內容。第3部分介紹功率開關器件，主要分為傳統(tǒng)開關