本書(shū)重點(diǎn)介紹了各種不同類型的界面插層材料對(duì)NiFe磁阻薄膜材料結(jié)構(gòu)及電輸運(yùn)性能的影響。全書(shū)共7章，內(nèi)容包括：磁電阻薄膜材料簡(jiǎn)介、NiFe薄膜材料研究現(xiàn)狀、薄膜制備及結(jié)構(gòu)性能表征方法等。

傳感器在降低環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)、保障人身及財(cái)產(chǎn)安全等方面發(fā)揮了重要作用。采用氧化物半導(dǎo)體氣敏材料制作的傳感器以其成本低、耗能少、制作和使用方便、響應(yīng)靈敏等優(yōu)點(diǎn)越來(lái)越受到人們的廣泛關(guān)注。本書(shū)除了系統(tǒng)總結(jié)作者近年來(lái)在該領(lǐng)域取得的重要研究成果之外，還詳細(xì)闡述了氧化物半導(dǎo)體氣敏材料的敏感機(jī)理、研究進(jìn)展、發(fā)展趨勢(shì)及存在問(wèn)題，重點(diǎn)介紹了幾種

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書(shū)主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問(wèn)題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問(wèn)題的塊中心差分方

本書(shū)系統(tǒng)并扼要介紹國(guó)際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國(guó)內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對(duì)材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)

本書(shū)主要描述半導(dǎo)體材料的主要測(cè)試分析技術(shù)，介紹各種測(cè)試技術(shù)的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備和分析實(shí)例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質(zhì)和缺陷的測(cè)試，其測(cè)試分析技術(shù)涉及到四探針電阻率測(cè)試、無(wú)接觸電阻率測(cè)試、擴(kuò)展電阻、微波光電導(dǎo)衰減測(cè)試、霍爾效應(yīng)測(cè)試、紅外光譜測(cè)試、深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試、正電子湮滅

本書(shū)主要內(nèi)容包括單晶爐的基本知識(shí)、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場(chǎng)、晶體生長(zhǎng)控制器、原輔材料的準(zhǔn)備、直拉單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術(shù)等內(nèi)容。本書(shū)可作為各類院校太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)硅材料技術(shù)專業(yè)、新能源專業(yè)的教材，也可作為單晶硅生產(chǎn)企業(yè)的員工培訓(xùn)教材，還可作為相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員的參考書(shū)。

典型半導(dǎo)體團(tuán)簇及其團(tuán)簇組裝材料的結(jié)構(gòu)及其電子性質(zhì)的研究是當(dāng)前團(tuán)簇科學(xué)研究的熱點(diǎn)。本書(shū)采用**性原理中的各種方法對(duì)系列典型的半導(dǎo)體團(tuán)簇的幾何結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)等進(jìn)行理論研究，發(fā)現(xiàn)該類團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)及其成鍵特征、電子性質(zhì)，為其他團(tuán)簇的計(jì)算提供更為詳盡的信息。在研究半導(dǎo)體團(tuán)簇的基礎(chǔ)上，首次探討基于典型半導(dǎo)體團(tuán)簇的團(tuán)簇組裝材料的結(jié)構(gòu)特

本書(shū)全面地總結(jié)了整機(jī)電子裝聯(lián)技術(shù)，內(nèi)容涵蓋整機(jī)裝聯(lián)的各個(gè)方面。從工程應(yīng)用角度，全面、系統(tǒng)地對(duì)整機(jī)裝聯(lián)的裝配環(huán)境及所需材料進(jìn)行了詳細(xì)的描述，如焊料、焊劑、膠黏劑等。介紹了整機(jī)裝配中使用的電纜組件、連接器等的電裝工藝，如電纜及連接器的選型、電纜的綁扎和走線注意事項(xiàng)、元器件的裝配工藝等。著重對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行了講解，同時(shí)結(jié)合實(shí)際

本書(shū)以半導(dǎo)體集束型裝備為研究對(duì)象，在全面分析其調(diào)度特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，詳細(xì)解剖、分析半導(dǎo)體集束型裝備各類調(diào)度問(wèn)題，建立了調(diào)度模型并運(yùn)用智能化方法設(shè)計(jì)了相應(yīng)的求解方案。本書(shū)在認(rèn)真總結(jié)國(guó)內(nèi)外多年的半導(dǎo)體集束型裝備調(diào)度研究成果的基礎(chǔ)上，結(jié)合作者多年在生產(chǎn)調(diào)度，特別是半導(dǎo)體集束型裝備領(lǐng)域的研究與應(yīng)用成果，對(duì)復(fù)雜的半導(dǎo)體集束型裝備調(diào)度

本書(shū)是作者多年來(lái)在微波寬禁帶半導(dǎo)體器件及其建�？蒲泄ぷ鞯目偨Y(jié)，核心內(nèi)容來(lái)自于作者或者與中國(guó)電科55所、中國(guó)電科13所等聯(lián)合單位發(fā)表在國(guó)際重要期刊的文章。本書(shū)是作者多年來(lái)在微波寬禁帶半導(dǎo)體器件及其建�？蒲泄ぷ鞯目偨Y(jié)，核心內(nèi)容來(lái)自于作者或者與中國(guó)電科55所、中國(guó)電科13所等聯(lián)合單位發(fā)表在國(guó)際重要期刊的文章。

場(chǎng)發(fā)射冷陰極在顯示技術(shù)、微波能源及高頻電子等方面具有十分重要的應(yīng)用。《納米半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射冷陰極理論與實(shí)驗(yàn)》基于作者多年來(lái)在納米半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射冷陰極方面的工作積累，對(duì)該領(lǐng)域的發(fā)展歷程、理論基礎(chǔ)、設(shè)計(jì)模型與制備性能進(jìn)行了系統(tǒng)的介紹與討論，期望為新型納米半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射冷陰極研發(fā)與器件應(yīng)用提供指導(dǎo)與參考。 《納米半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射冷陰極

太陽(yáng)能是取之不盡用之不竭的清潔能源。太陽(yáng)能光伏發(fā)電是近年來(lái)太陽(yáng)能應(yīng)用中發(fā)展最快、最具活力的研究領(lǐng)域。與目前廣泛采用的硅太陽(yáng)能電池相比，銅銦硒薄膜太陽(yáng)能電池具有光電轉(zhuǎn)化效率高、性能穩(wěn)定、空間抗輻射性能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前的光伏領(lǐng)域備受關(guān)注。銅銦硒(CuInSe2)中加入一定量Al和S分別替代部分貴重金屬I(mǎi)n和Se，一方面可以

光刻技術(shù)是所有微納器件制造的核心技術(shù)。特別是在集成電路制造中，正是由于光刻技術(shù)的不斷提高才使得摩爾定律（器件集成度每?jī)赡曜笥曳�一番）得以繼續(xù)�！冻�大規(guī)模集成電路先進(jìn)光刻理論與應(yīng)用》覆蓋現(xiàn)代光刻技術(shù)的主要方面，包括設(shè)備、材料、仿真（計(jì)算光刻）和工藝，內(nèi)容直接取材于國(guó)際先進(jìn)集成電路制造技術(shù)，為了保證先進(jìn)性，特別側(cè)重于32n

本書(shū)是由集成電路行業(yè)質(zhì)量與可靠性管理領(lǐng)域的國(guó)際知名學(xué)者，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司副總裁簡(jiǎn)維廷、郭位院士（美）、張啟華等專家編著的一本闡述質(zhì)量與可靠性工程在集成電路制造中的實(shí)際應(yīng)用的專著。書(shū)中系統(tǒng)、深入地介紹了從設(shè)計(jì)、制造評(píng)估到使用實(shí)際工程中各個(gè)環(huán)節(jié)的質(zhì)量與可靠性問(wèn)題，并將作者獨(dú)到的創(chuàng)新理念融入于整個(gè)書(shū)中。全書(shū)共4章

本書(shū)詳細(xì)介紹了現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝過(guò)程中，各個(gè)工序常見(jiàn)的技術(shù)要求及對(duì)異常問(wèn)題的處理方法，包括從PCB到PCBA及*終產(chǎn)品的每一個(gè)主要過(guò)程，如PCB清潔、印錫、點(diǎn)膠、貼片、回流、AOI檢測(cè)、手工焊、壓接、電批使用、三防涂覆、返修技術(shù)、各類設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)等，貫穿整個(gè)單板加工的工藝流程。同時(shí)還介紹了各個(gè)環(huán)節(jié)對(duì)從業(yè)者的基本要求，所涉

本書(shū)內(nèi)容以電子裝聯(lián)材料工藝知識(shí)為主，內(nèi)容包括現(xiàn)代電子裝聯(lián)材料工藝概論、焊料（焊膏、錫條、錫線、錫片）基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用工藝、助焊劑基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用工藝、清洗劑基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用工藝、電子膠黏劑基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用工藝、三防涂料基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用、其他電子裝聯(lián)材料基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用工藝。全書(shū)除介紹電子裝聯(lián)材料的特性、分類和化學(xué)組成外，還簡(jiǎn)單介紹

本手冊(cè)以通俗易懂、圖文并茂的方式，全面介紹了近代常用的電力電子元器件的分類、結(jié)構(gòu)、工作原理及其應(yīng)用。本書(shū)共分16章，主要包括電阻器、電位器、電容器、電感器、濾波器、變壓器、二極管、晶體管、晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET、絕緣柵雙極晶體管IGBT、振蕩器、傳感器、光電耦合器、保護(hù)元器件等各類電力電子元器件以及它們的應(yīng)用

隨著電子產(chǎn)品向多功能、高密度、微型化方向發(fā)展，電子裝聯(lián)工藝發(fā)生了很大的變化，涉及焊料、PCB、元器件等組裝材料面臨更多的挑戰(zhàn)，對(duì)裝聯(lián)工藝技術(shù)和可靠性提出了更高的要求，因此，迫切需要一本能系統(tǒng)闡述現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝并為后續(xù)產(chǎn)品實(shí)際組裝提供指導(dǎo)的圖書(shū)。本書(shū)從PCB、元器件和焊接材料入手，系統(tǒng)講解了現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝中常見(jiàn)的技術(shù)

本書(shū)基于對(duì)現(xiàn)代電子裝聯(lián)軟釬焊技術(shù)原理分析，闡明了焊接過(guò)程中潤(rùn)濕鋪展與溶解擴(kuò)散兩個(gè)主要過(guò)程對(duì)焊點(diǎn)形成的重要性，對(duì)典型群焊技術(shù)（再流焊、波峰焊）、局部焊接技術(shù)（掩膜焊、選擇焊、激光焊、熱壓焊等）及手工焊接技術(shù)工藝特點(diǎn)、工作原理、制程設(shè)計(jì)與步驟、質(zhì)量控制、常見(jiàn)焊接缺陷等進(jìn)行了介紹；針對(duì)PCBA可制造性設(shè)計(jì)（DFM），從PCB

本書(shū)系統(tǒng)地介紹了電子裝聯(lián)技術(shù)中大量應(yīng)用的電子元器件及印制板的主要技術(shù)性能和應(yīng)用特性，包括元器件的分類、元器件的制作過(guò)程、元器件的選型要求與驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)、元器件引腳材料和鍍層要求、印制板的選用要求，印制板的表面鍍層及可焊性要求、印制板的選型評(píng)估方法與印制板在電子組裝中的常見(jiàn)問(wèn)題分析及應(yīng)對(duì)舉措等內(nèi)容。