本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書(shū)是作者從事電子制造40年來(lái)有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié),討論了單板常見(jiàn)的失效模式、典型失效場(chǎng)景以及如何設(shè)計(jì)與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛?jiǎn)栴}，并通過(guò)大量篇幅重點(diǎn)討論了焊點(diǎn)的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書(shū)內(nèi)容共4個(gè)部分，第一部分為焊點(diǎn)失效機(jī)理與裂紋特征，詳細(xì)介紹焊點(diǎn)的失效模式、失效機(jī)理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫(xiě)，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過(guò)五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱(chēng)性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書(shū)講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類(lèi)型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測(cè)試分為特性測(cè)試、極限能力測(cè)試、高溫可靠性測(cè)試、電應(yīng)力可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試等，并詳細(xì)介紹了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測(cè)試設(shè)備和數(shù)據(jù)

集成電路與等離子體裝備

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜。《彈性半導(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問(wèn)題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

目前以有機(jī)/聚合物和半導(dǎo)體量子點(diǎn)為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國(guó)內(nèi)外眾多企業(yè)和人士的廣泛關(guān)注。本書(shū)從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關(guān)鍵材料的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用技術(shù)出發(fā)，內(nèi)容涵蓋有機(jī)電致發(fā)光概念與過(guò)程、有機(jī)電致發(fā)光材料、有機(jī)電致發(fā)光器件、半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料、半導(dǎo)體量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書(shū)反

本書(shū)基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過(guò)程中存在的問(wèn)題，介紹了多種改進(jìn)的批間控制和過(guò)程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過(guò)程概述，包括國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過(guò)程監(jiān)控。第4～7章討論機(jī)臺(tái)干擾、故障、度量時(shí)延對(duì)系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

本書(shū)以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問(wèn)題及最新應(yīng)用問(wèn)題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見(jiàn)不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來(lái)的可靠性問(wèn)題。全書(shū)結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個(gè)經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類(lèi)似不良

本書(shū)系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動(dòng)力學(xué)方法、動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時(shí)間從亞皮秒量級(jí)到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)