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本書以著名光子學家郭光燦院士指出的“書乃明理于本始，惠澤于世人……探微索隱，刻意研精，識其真要，奉獻讀者”為旨要，以12章成體，以激光單元技術和應用技術為用。首先對各種單元技術結構特點、運轉(zhuǎn)機理等基礎知識進行介紹；然后分別介紹激光調(diào)制、偏轉(zhuǎn)、調(diào)Q、超短脈沖、放大、橫模選取、縱模選取、穩(wěn)頻、非線性光學、激光微束等技術，其

超結是功率半導體器件領域的創(chuàng)新的耐壓層結構之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)镻N結型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研

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傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術鏈條的最前端。本書從氣體傳感器的應用領域和系統(tǒng)分類出發(fā)，重點圍繞基于混成電位原理的固體電解質(zhì)氣體傳感器的研究進展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢進行介紹。本書主要內(nèi)容包括固體電解質(zhì)氣體傳感器的種類和特點、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構筑、其他增感策略以

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全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機理及其可靠性建模與測評等，既有理論原理、仿真分析、又有實驗測試等。全書內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設計優(yōu)化和測試奠定理論基礎；同時也為實現(xiàn)柔直裝備安全運行的狀態(tài)評估和主動運維提供技術支撐，從而進一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ

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