本書結(jié)合我國(guó)節(jié)能減排工程計(jì)劃和國(guó)內(nèi)外風(fēng)光互補(bǔ)LED照明系統(tǒng)的發(fā)展動(dòng)態(tài)，系統(tǒng)地講解了風(fēng)光互補(bǔ)LED照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、施工、安裝、調(diào)試及應(yīng)用。本書主要內(nèi)容包括太陽(yáng)能、風(fēng)能、風(fēng)光互補(bǔ)LED照明系統(tǒng)的設(shè)計(jì)相關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，太陽(yáng)能LED路燈、景觀燈的應(yīng)用。同時(shí)也深入淺出地闡述了太陽(yáng)能板、風(fēng)力發(fā)電機(jī)、蓄電池、風(fēng)光互補(bǔ)控制器、LED光源

本書基于作者多年從事LED芯片設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的經(jīng)驗(yàn)，詳細(xì)介紹了提高水平結(jié)構(gòu)LED芯片、倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片和高壓LED芯片外量子效率的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)。采用微加工技術(shù)在水平結(jié)構(gòu)LED芯片的正面、底面和側(cè)面集成微納光學(xué)結(jié)構(gòu)，提高其發(fā)光效率。采用高反射率、低阻P型歐姆接觸電極和通孔接觸式N型電極提高倒裝結(jié)構(gòu)LED芯

本書從有機(jī)薄膜晶體管的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、材料種類、器件性能及應(yīng)用等方面對(duì)這種新型的有機(jī)電子器件作了較全面的論述。重點(diǎn)梳理了作者及國(guó)內(nèi)外同行在有機(jī)薄膜晶體管有源層及介電層材料方面的研究成果，涵蓋小分子材料、高分子材料、液晶材料、介電材料、材料計(jì)算模擬、有機(jī)單晶材料的發(fā)展與生長(zhǎng)方法等。系統(tǒng)闡述了提高有機(jī)薄膜晶體管器

本書梳理和總結(jié)了中國(guó)科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國(guó)院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動(dòng)的歷程。主要包括王占國(guó)院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎(jiǎng)項(xiàng)以及育人情況等內(nèi)容。王占國(guó)院士是我國(guó)著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對(duì)推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、

本書根據(jù)大功率IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)的**發(fā)展現(xiàn)狀，結(jié)合團(tuán)隊(duì)多年積累的科研成果和技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)技術(shù)進(jìn)行了全面的介紹。全書在介紹IGBT器件及驅(qū)動(dòng)**發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，從IGBT器件結(jié)構(gòu)、特性以及工作原理出發(fā)，詳細(xì)地分析了影響大功率IGBT開關(guān)特性的因素，介紹了IGBT模塊的參數(shù)，進(jìn)而對(duì)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)

近年來(lái)，全球OLED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)布局發(fā)展迅猛，柔性高世代OLED生產(chǎn)線陸續(xù)建設(shè)、投產(chǎn)，OLED產(chǎn)業(yè)無(wú)疑成為電子信息領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)藍(lán)海。然而與之不相匹配的是OLED專業(yè)人員和相關(guān)書籍的嚴(yán)重不足。《OLED顯示技術(shù)導(dǎo)論》從有機(jī)電致發(fā)光二極管設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)理論著手，逐步拓展到當(dāng)前實(shí)際工程應(yīng)用到的各種發(fā)光器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用原理。涉及的內(nèi)容

本書系統(tǒng)并扼要介紹國(guó)際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國(guó)內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對(duì)材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問(wèn)題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問(wèn)題的塊中心差分方

本書從白光LED的光譜設(shè)計(jì)與封裝出發(fā)，立足于解決當(dāng)前高光色質(zhì)量的白光LED設(shè)計(jì)與制造中存在的關(guān)鍵性難點(diǎn)。全書分為6章，分別是白光LED簡(jiǎn)介、高顯色性能的白光LED光譜優(yōu)化、針對(duì)人體生物安全性的LED光譜優(yōu)化方法、考慮物體表面反射特性的節(jié)能光源光譜優(yōu)化、高光學(xué)性能的白光LED光學(xué)建模和高光學(xué)性能的白光LED封裝優(yōu)化。

本書主要描述半導(dǎo)體材料的主要測(cè)試分析技術(shù)，介紹各種測(cè)試技術(shù)的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備和分析實(shí)例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質(zhì)和缺陷的測(cè)試，其測(cè)試分析技術(shù)涉及到四探針電阻率測(cè)試、無(wú)接觸電阻率測(cè)試、擴(kuò)展電阻、微波光電導(dǎo)衰減測(cè)試、霍爾效應(yīng)測(cè)試、紅外光譜測(cè)試、深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試、正電子湮滅