本書是CMOS模擬集成電路設計課程的經(jīng)典教材，從CMOS技術的前沿出發(fā)，結合豐富的實踐與教學經(jīng)驗，對CMOS模擬集成電路設計的原理和技術以及容易被忽略的問題進行論述。全書共8章，主要介紹了模擬集成電路設計的背景知識、CMOS技術、器件模型及主要模擬電路的原理和設計，包括CMOS子電路、放大器、運算放大器及高性能運算放大器、比較器等。本書通過大量實例闡述設計原理，將理論與實踐融為一體，提供了大量習題與部分習題解答。同時針對許多工業(yè)界人士的需求和問題進行了分析和解釋。
Phillip E. Allen，佐治亞理工學院電氣與計算機工程榮譽教授，IEEE會士。1970年獲得堪薩斯大學電氣工程博士學位，曾與勞倫斯利弗莫爾實驗室、Delco、德州儀器、洛克希德和斯倫貝謝油井服務等多家公司合作。曾任教于內(nèi)華達大學里諾分校、堪薩斯大學、加州大學圣巴巴拉分校和德州農(nóng)工大學，具有豐富的教學經(jīng)驗。
Phillip E. Allen，佐治亞理工學院電氣與計算機工程榮譽教授，IEEE會士。1970年獲得堪薩斯大學電氣工程博士學位，曾與勞倫斯利弗莫爾實驗室、Delco、德州儀器、洛克希德和斯倫貝謝油井服務等多家公司合作。曾任教于內(nèi)華達大學里諾分校、堪薩斯大學、加州大學圣巴巴拉分校和德州農(nóng)工大學，具有豐富的教學經(jīng)驗。
第1章 緒論 1
1.1 模擬集成電路設計 1
1.2 字符、符號和術語 5
1.3 模擬信號處理 7
1.4 模擬VLSI混合信號電路設計舉例 8
1.5 小結 12
習題 13
參考文獻 14
第2章 CMOS技術 15
2.1 基本MOS半導體制造工藝 15
2.2 pn結 27
2.3 MOS晶體管 32
2.4 無源元件 37
2.5 關于CMOS技術的其他考慮 42
2.6 小結 48
習題 49
參考文獻 52
第3章 CMOS器件模型 54
3.1 簡單的MOS管大信號模型 (SPICE LEVEL 1) 54
3.2 其他MOS管大信號模型的參數(shù) 61
3.3 MOS管的小信號模型 70
3.4 計算機仿真模型 73
3.5 亞閾區(qū)MOS管模型 78
3.6 MOS電路的SPICE仿真 79
3.7 小結 87
習題 87
參考文獻 91
第4章 模擬CMOS子電路 92
4.1 MOS開關 92
4.2 MOS二極管/有源電阻 101
4.3 電流漏和電流源 103
4.4 電流鏡 111
4.5 基準電流和電壓 118
4.6 與溫度無關的基準 125
4.7 小結 138
4.8 設計性習題 138
習題 139
參考文獻 149
第5章 CMOS放大器 150
5.1 反相器 150
5.2 差分放大器 160
5.3 共源共柵放大器 175
5.4 電流放大器 185
5.5 輸出放大器 189
5.6 小結 198
習題 198
參考文獻 210
第6章 CMOS運算放大器 211
6.1 CMOS運算放大器設計 211
6.2 運算放大器的補償 219
6.3 兩級運算放大器設計 231
6.4 兩級運算放大器的電源抑制比 244
6.5 共源共柵運算放大器 249
6.6 運算放大器的仿真和測量 264
6.7 小結 274
習題 275
參考文獻 284
第7章 高性能CMOS運算放大器 285
7.1 緩沖運算放大器 286
7.2 高速 / 高頻CMOS運算放大器 299
7.3 差分輸出運算放大器 310
7.4 微功耗運算放大器 320
7.5 低噪聲運算放大器 327
7.6 低電壓運算放大器 337
7.7 小結 350
習題 351
參考文獻 355
第8章 比較器 357
8.1 比較器的特性 357
8.2 兩級開環(huán)比較器 360
8.3 其他開環(huán)比較器 372
8.4 開環(huán)比較器性能的改進 374
8.5 離散時間比較器 383
8.6 高速比較器 389
8.7 小結 393
習題 393
參考文獻 397
附錄A 模擬電路設計的電路分析 398
附錄B 集成電路版圖 407
附錄C CMOS器件性能 426
附錄D 二階系統(tǒng)的時域和頻域關系 445
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