本書內(nèi)容以實用性為出發(fā)點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。