第1章 理論與計算方法 001
1.1 稀磁半導體002
1.2 稀磁半導體的磁性來源003
1.2.1 RKKY 理論003
1.2.2 平均場理論004
1.2.3 雙交換作用理論005
1.2.4 束縛磁極化子（BMP）理論007
1.3 稀磁半導體的吸收光譜008
1.3.1 伯斯坦- 莫斯（B-M）效應009
1.3.2 帶隙重整化效應 010
1.4 能帶理論 012
1.4.1 絕熱（Born-Oppenheimer）近似 013
1.4.2 單電子（Hartree）近似 013
1.4.3 Hartree-Fock 近似 014
1.5 密度泛函（DFT）理論 015
1.5.1 Hohenberg-Kohn 定理 015
1.5.2 Kohn-Sham 方程 016
1.5.3 局域密度近似（LDA）017
1.5.4 廣義梯度近似（GGA）018
1.5.5 雜化密度泛函 019
1.6 應變理論 019
參考文獻020

第2章 含本征點缺陷的ZnO磁光性能分析 023
2.1 模型與計算方法024
2.2 含本征點缺陷ZnO 的穩(wěn)定性分析025
2.3 含本征點缺陷ZnO 的磁性分析028
2.4 含本征點缺陷ZnO 的光學性質(zhì)分析032
參考文獻038

第3章 Mn 摻雜ZnO 的磁光性能分析 041
3.1 含點空位的不同位置Mn 摻雜ZnO磁光性能分析042
3.1.1 模型與計算方法042
3.1.2 結構和穩(wěn)定性分析043
3.1.3磁性分析048
3.1.4 光學性質(zhì)分析055
3.2 含點空位的不同濃度Mn 摻雜ZnO磁光性能分析060
3.2.1 模型與計算方法 061
3.2.2 結構和穩(wěn)定性分析062
3.2.3磁性分析063
3.2.4 光學性質(zhì)分析068
3.3 含點空位的不同價態(tài)Mn 摻雜ZnO磁光性能分析074
3.3.1 模型與計算方法075
3.3.2 結構和穩(wěn)定性分析076
3.3.3磁性分析080
3.3.4 光學性質(zhì)分析085
參考文獻 091

第4章 含點缺陷的Sm 摻雜ZnO 的磁光性能 097
4.1 不同價態(tài)缺陷對ZnO:Sm磁光性能的影響098
4.1.1 模型與計算方法098
4.1.2 對結構與穩(wěn)定性的影響 100
4.1.3 對磁學性能的影響 103
4.1.4 對光學性能的影響 110
4.2 應變對ZnO:Sm磁光性能的影響 119
4.2.1 模型與計算方法 119
4.2.2 對結構與穩(wěn)定性的影響 121
4.2.3 對磁學性能的影響 124
4.2.4 對光學性能的影響 131
4.3 不同價態(tài)缺陷和應變對ZnO:Sm磁光性能的影響 136
4.3.1 模型與計算方法 137
4.3.2 對結構與穩(wěn)定性的影響 138
4.3.3 對磁學性能的影響 142
4.3.4 對光學性能的影響 149
參考文獻 150

第5章 應變對含點缺陷Ce 摻雜ZnO磁光性能的影響 155
5.1 應變對Ce 摻雜ZnO磁光性能的影響 156
5.1.1 模型和計算方法 156
5.1.2 對結構和穩(wěn)定性的影響 157
5.1.3 對光學性能的影響 159
5.1.4 對磁性能的影響 166
5.2 應變對Ce 摻雜與間隙H 共存的ZnO磁光性能的影響 170
5.2.1 模型與計算方法 170
5.2.2 對結構和穩(wěn)定性的影響 173
5.2.3 對光學性能的影響 176
5.2.4 對磁性能的影響 186
5.3 應變對Ce 摻雜與點空位共存的ZnO磁光性能的影響 190
5.3.1 模型和計算方法 190
5.3.2 對結構和穩(wěn)定性的影響 192
5.3.3 對光學性能的影響 195
5.3.4 對磁性能的影響204
參考文獻208