半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心。60 多年前, 美國德州儀器實(shí)驗(yàn)室首次成功實(shí)現(xiàn)了把電子元器件集成在一塊半導(dǎo)體材料上的構(gòu)想。自此, 集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展, 推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)成為世界各主要大國的戰(zhàn)略性支柱產(chǎn)業(yè), 深刻影響著社會(huì)與國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。集成電路及其相關(guān)產(chǎn)品成為信息時(shí)代的國之重器, 也是保障國家安全的安邦之寶。
我國的半導(dǎo)體集成電路研究幾乎和世界同時(shí)起步, 也曾走在世界前列,由于一些歷史原因, 經(jīng)過幾十年的風(fēng)雨和磨難后, 又迎來產(chǎn)業(yè)大發(fā)展的春天�？ú弊蛹夹g(shù) 科技自立自強(qiáng) 自主知識(shí)產(chǎn)權(quán) 在各行各業(yè)尤其是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頻繁成為熱詞, 彰顯了全社會(huì)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)造出高水平中國芯 的熱切期盼。隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的落地實(shí)施,國家大基金已運(yùn)行到第三期。國家大基金一直以來對(duì)產(chǎn)業(yè)趨勢有深刻把握,并具備推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)、提升國家競爭力的決心。我國政策、金融、產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)力, 對(duì)核心技術(shù)和關(guān)鍵零部件的支持力度逐漸增大, 周期復(fù)蘇、國產(chǎn)替代、政策支持等多重利好疊加, 國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速發(fā)展的階段。
本書著重研究半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)的工藝和設(shè)備, 由于半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)工藝復(fù)雜、制程繁多, 所用設(shè)備也種類龐雜, 因此, 為了綱舉目張, 選取了最主要的制程和設(shè)備進(jìn)行分析研究, 力求使讀者能夠了解半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)的精髓以及由此引發(fā)的專利評(píng)判疑難問題和爭議, 并產(chǎn)生興趣與共鳴。
全書共分為5 章。第1 章從工程實(shí)踐出發(fā), 對(duì)半導(dǎo)體鍍膜的重要基礎(chǔ)技術(shù)進(jìn)行介紹, 重點(diǎn)是物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積, 使讀者對(duì)半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)有一個(gè)整體了解。技術(shù)和產(chǎn)業(yè)從來就是息息相關(guān)的, 第2 章主要介紹產(chǎn)業(yè)相關(guān)情況, 包括產(chǎn)業(yè)鏈和廠商的分類、全球和國內(nèi)的主要半導(dǎo)體廠商以及半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)替代情況。第3~5 章為本書的核心章節(jié)。第3 章探究半導(dǎo)體鍍膜領(lǐng)域的專利競爭格局, 運(yùn)用專利分析方法對(duì)全球和在華的半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)相關(guān)專利文獻(xiàn)進(jìn)行宏觀和微觀數(shù)據(jù)分析, 以期了解行業(yè)發(fā)展的整體技術(shù)狀況, 把握目前專利技術(shù)所處的發(fā)展階段, 明確創(chuàng)新主體的技術(shù)實(shí)力分布情況和發(fā)展趨勢, 為國家產(chǎn)業(yè)政策制定、行業(yè)發(fā)展規(guī)劃及企業(yè)技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新方向的確定提供數(shù)據(jù)支持與決策參考。在專利授權(quán)、確權(quán)、司法審判等法律適用環(huán)節(jié), 技術(shù)事實(shí)的認(rèn)定、技術(shù)啟示的判斷、本領(lǐng)域技術(shù)人員的合理水平、技術(shù)效果的考量等均是疑難和易引發(fā)爭議的問題。第4 章結(jié)合半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)具體案例的法律適用過程對(duì)上述問題進(jìn)行探討, 以期引發(fā)讀者的思考。第5 章在前述專利分析、競爭格局、重點(diǎn)技術(shù)分析的基礎(chǔ)上, 結(jié)合文獻(xiàn)綜述及學(xué)術(shù)研究成果信息, 提煉半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)的研究進(jìn)展和未來可能的發(fā)展方向, 并從中選擇易于在半導(dǎo)體鍍膜制程中落地的技術(shù)方案。
本書各章節(jié)分工如下: 曹旭負(fù)責(zé)前言及各章引言、第1 章第1. 2 節(jié)、1. 3節(jié)、第2 章第2. 3 節(jié)、第3 章第3. 3 節(jié)、第4 章第4. 4 節(jié)、4. 6 節(jié)、4. 7 節(jié)、第5 章第5. 1 節(jié)、5. 3 節(jié); 崔海云負(fù)責(zé)第1 章第1. 4 節(jié)、1. 6 節(jié)、1. 7 節(jié)、第2 章第2. 4 節(jié)、第3 章第3. 2 節(jié)、第4 章第4. 1 節(jié)、4. 2 節(jié)、4. 3 節(jié)、4. 5 節(jié)、第5章第5. 2 節(jié)、5. 5 節(jié); 李嬌負(fù)責(zé)第1 章第1. 1 節(jié)、1. 5 節(jié)、第2 章第2. 1 節(jié)、2. 2 節(jié)、第3 章第3. 1 節(jié)、第4 章第4. 8 節(jié)、第5 章第5. 4 節(jié)、5. 6 節(jié)。
本書既可作為從事半導(dǎo)體鍍膜工藝與設(shè)備方面工作的工程技術(shù)人員以及相關(guān)研究人員的參考用書, 也可供專利審查員、專利代理師、行政執(zhí)法人員、司法審判人員等法律工作者在具體法律適用過程中借鑒參考。
由于作者水平有限, 書中難免有不準(zhǔn)確或疏漏之處, 懇請(qǐng)同行專家及廣大讀者提出寶貴的意見與建議, 在此表示由衷的感謝。