半導體物理學簡明教程 第2版
定 價:36 元
叢書名:“十二五”普通高等教育本科國家級規(guī)劃教材
編者根據(jù)使用情況和評審意見對原書作了適當修改,力圖以簡明扼要的方式全面、準確介紹半導體物理學的基礎知識及其新進展,內(nèi)容包括半導體的物質(zhì)結構和能帶結構、雜質(zhì)和缺陷、載流子的統(tǒng)計分布及其運動規(guī)律、非熱平衡態(tài)半導體、pn結、金屬-半導體接觸、異質(zhì)結、半導體表面、以及主要的半導體效應。
前言緒論第1章半導體的物質(zhì)結構和能帶結構11半導體的原子結合與晶體結構111元素的電負性與原子的結合力112共價結合與正四面體結構113主要半導體的晶體結構12半導體的電子狀態(tài)和能帶121能級與能帶122零勢場與周期勢場中的電子狀態(tài)123能帶的填充與晶體的導電性及空穴的概念13半導體中載流子的有效質(zhì)量131能帶極值附近的E(k)函數(shù)132電子和空穴的有效質(zhì)量133各向異性半導體中載流子的有效質(zhì)量14半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級141雜質(zhì)的施、受主作用及其能級142深能級雜質(zhì)143缺陷的施、受主作用及其能級15典型半導體的能帶結構151能帶結構的基本內(nèi)容及其表征152主要半導體的能帶結構16半導體能帶工程概要161半導體固溶體162利用固溶體技術剪裁能帶結構163能帶結構的量子尺寸效應習題第2章半導體中的載流子及其輸運性質(zhì)21載流子的漂移運動與半導體的電導率211歐姆定律的微分形式212半導體的電導率22熱平衡狀態(tài)下的載流子統(tǒng)計221熱平衡狀態(tài)下的電子和空穴222費米分布函數(shù)與費米能級223費米分布函數(shù)與玻耳茲曼分布函數(shù)224非簡并半導體的載流子密度225本征半導體的載流子密度23載流子密度對雜質(zhì)和溫度的依賴性231雜質(zhì)電離度232非簡并半導體載流子密度隨溫度的變化233簡并半導體24載流子遷移率241恒定電場下載流子漂移運動的微觀描述242決定載流子遷移率的物理因素243有效質(zhì)量各向異性時的載流子遷移率25載流子散射及其對遷移率的影響251散射的物理本質(zhì)252電離雜質(zhì)散射及其對遷移率的影響253晶格振動散射及其對遷移率的影響254其他散射機構26半導體的電阻率及其與摻雜濃度和溫度的關系261半導體的電阻率262電阻率與摻雜濃度的關系263電阻率與溫度的關系27強電場中的載流子輸運271強電場效應272熱電子與速度飽和273負微分遷移率274耿氏效應及其應用275強電場下的速度過沖和準彈道輸運28半導體的熱導率281熱導率的定義282半導體中的導熱機構283維德曼-弗蘭茨定律習題第3章非熱平衡狀態(tài)下的半導體31半導體的非熱平衡狀態(tài)311額外載流子的產(chǎn)生與復合312額外載流子的壽命313準費米能級32復合理論321直接輻射復合322通過單一復合中心的間接復合323表面復合324俄歇復合325陷阱效應及其對復合的影響33額外載流子的運動331額外載流子的擴散與擴散方程332擴散方程在不同邊界條件下的解333電場中的額外載流子運動334愛因斯坦關系34電流連續(xù)性方程及其應用341電流連續(xù)性方程342穩(wěn)態(tài)電流連續(xù)性方程及其解343連續(xù)性方程的應用35半導體的光吸收351吸收系數(shù)及相關光學常數(shù)352半導體的本征吸收353其他吸收過程36半導體的光電導和光致發(fā)光361半導體的光電導362半導體的光致發(fā)光習題第4章PN結41PN結的形成及其平衡態(tài)411PN結的形成及其雜質(zhì)分布412熱平衡狀態(tài)下的PN結42PN結的伏安特性421廣義歐姆定律422理想狀態(tài)下的PN結伏安特性方程423PN結伏安特性對理想方程的偏離43PN結電容431PN結勢壘區(qū)的電場及電勢分布432勢壘電容433擴散電容434用電容-電壓法測量半導體的雜質(zhì)濃度44PN結擊穿441雪崩擊穿442隧道擊穿443熱電擊穿45PN結的光伏效應451光生電動勢原理452光照PN結的電流-電壓方程453光照PN結的特征參數(shù)46PN結發(fā)光461發(fā)光原理462半導體激光器原理習題第5章金屬-半導體接觸51金屬-半導體接觸及其平衡狀態(tài)511金屬和半導體的功函數(shù)512有功函數(shù)差的金屬-半導體接觸513表面態(tài)對接觸電勢差的影響514歐姆接觸52金屬-半導體接觸的非平衡狀態(tài)521不同偏置狀態(tài)下的肖特基勢壘522正偏肖特基勢壘區(qū)中的費米能級523厚勢壘金屬-半導體接觸的伏安特性524薄勢壘金屬-半導體接觸的伏安特性525金屬-半導體接觸的少子注入問題526非平衡態(tài)肖特基勢壘接觸的特點及其應用習題第6章異質(zhì)結和納米結構61異質(zhì)結的構成及其能帶611異質(zhì)結的構成與類型