本書內(nèi)容從半導(dǎo)體相關(guān)基礎(chǔ)知識入手，首先介紹半導(dǎo)體的物理特性，以及與其相關(guān)的晶體、原子、能帶理論、空穴、摻雜等基本概念；再從晶體管入手，講述晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、制備工藝，以及集成電路的相關(guān)知識；最后，落地到應(yīng)用，介紹了半導(dǎo)體器件的使用和具體的應(yīng)用電路，以及半導(dǎo)體器件參數(shù)和等效電路。由于半導(dǎo)體技術(shù)涉及材料、微電子、電子、物理、化學(xué)等專業(yè)，屬于交叉學(xué)科，還涉及許多全新的領(lǐng)域，相關(guān)教材及參考書籍較少，適合初學(xué)者入門的書籍更少。為此，本書在編寫過程中，通過提供詳細(xì)的圖表和豐富的實(shí)例來提高可讀性與易懂性

本書內(nèi)容以實(shí)用性為出發(fā)點(diǎn)，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計(jì)方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書從光刻機(jī)到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向納米級精細(xì)加工的新高度。本書共6篇19章，內(nèi)容包括光刻機(jī)、激光光源、掩膜技術(shù)、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢、EUV光刻技術(shù)、納米壓印光刻技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢、化學(xué)增幅型光刻膠材料技術(shù)、含金屬光刻膠材料技術(shù)、多重圖形化技術(shù)趨勢、多重圖形化中的沉積和刻蝕技術(shù)、CDSEM技術(shù)、光散射測量技術(shù)、掃描探針顯微鏡技術(shù)、基于小角X射線散射的尺寸和形狀測量技

本書提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)級內(nèi)存(SCM)的各項(xiàng)必備條件和系統(tǒng)級需求。每一章都涵蓋了物理運(yùn)行機(jī)制、制造技術(shù)和可微縮性的主要挑戰(zhàn)因素。最后，本書回顧了SCM的新興趨勢，主要關(guān)注基于相變的存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機(jī)理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點(diǎn)、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術(shù)難點(diǎn)及對應(yīng)的生長技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基GaNLED材料與芯片、Si基GaN高電子遷移率晶體管、Si基GaN肖特基二極管、Si基GaN光電探測芯片和Si基GaN光電解水芯片的工作原理、技術(shù)瓶頸、制備工藝以及芯片性能調(diào)控技術(shù)，

本書將半導(dǎo)體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過簡明扼要的語言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時(shí)代、“新石器時(shí)代”——晶體管時(shí)代、“戰(zhàn)國時(shí)代”——中小規(guī)模集成電路時(shí)代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時(shí)代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時(shí)代、“走進(jìn)新時(shí)代”——移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代、“擁抱未來”——半導(dǎo)體科技的展望，對半導(dǎo)體領(lǐng)域涉及的技術(shù)發(fā)展情況、關(guān)鍵的人和事件等進(jìn)行了描述，對未來的產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)行了展望，為我們勾勒了一幅半導(dǎo)體技術(shù)也是人類社會(huì)發(fā)展

本書詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計(jì)所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計(jì)、功率模塊壽命評估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片SiCMOSFET功率模塊定制開發(fā)相關(guān)的系統(tǒng)性指導(dǎo)，兼具理論價(jià)值和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。本書適合從事半導(dǎo)體制造及可靠性方面的工程師與研究人員閱讀，也可作為高等院校微電子等相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的教材和參考書。

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運(yùn)建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運(yùn)、固體界面熱輸運(yùn)基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮化鎵器件中熱特性建模、AlGaN/GaNHEMT器件級建模仿真、基于電學(xué)法的熱表征技術(shù)——柵電阻測溫法、超晶格城堡形場效應(yīng)晶體管的熱特性、用于氮化鎵器件高分辨率熱成像的瞬態(tài)熱反射率

《LED驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用電路設(shè)計(jì)及案例分析》針對電子電路應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)務(wù)中的痛點(diǎn)和難點(diǎn),通過案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問題的方法和思路。全書的編排設(shè)計(jì)始終遵循以讀者為中心、成果導(dǎo)向和持續(xù)改進(jìn)的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標(biāo),貫穿于整個(gè)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的全過程。全書采用案例式教學(xué),通過問題引導(dǎo)的方式幫助讀者積累知識和經(jīng)驗(yàn),啟發(fā)創(chuàng)新性思維。此外,本書還對標(biāo)工程認(rèn)證要求,注重對過程和結(jié)果的評價(jià),根據(jù)達(dá)成目標(biāo)設(shè)計(jì)了學(xué)習(xí)效果評價(jià)的內(nèi)容和標(biāo)準(zhǔn),可供讀者對學(xué)習(xí)成果進(jìn)行自查。本書基于OBE理念和工程認(rèn)證