本書將半導體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過簡明扼要的語言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時代、“新石器時代”——晶體管時代、“戰(zhàn)國時代”——中小規(guī)模集成電路時代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時代、“走進新時代”——移動互聯(lián)時代、“擁抱未來”——半導體科技的展望，對半導體領(lǐng)域涉及的技術(shù)發(fā)展情況、關(guān)鍵的人和事件等進行了描述，對未來的產(chǎn)業(yè)發(fā)展進行了展望，為我們勾勒了一幅半導體技術(shù)也是人類社會發(fā)展

《LED驅(qū)動與應(yīng)用電路設(shè)計及案例分析》針對電子電路應(yīng)用設(shè)計實務(wù)中的痛點和難點,通過案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問題的方法和思路。全書的編排設(shè)計始終遵循以讀者為中心、成果導向和持續(xù)改進的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標,貫穿于整個電子產(chǎn)品設(shè)計的全過程。全書采用案例式教學,通過問題引導的方式幫助讀者積累知識和經(jīng)驗,啟發(fā)創(chuàng)新性思維。此外,本書還對標工程認證要求,注重對過程和結(jié)果的評價,根據(jù)達成目標設(shè)計了學習效果評價的內(nèi)容和標準,可供讀者對學習成果進行自查。本書基于OBE理念和工程認證

本書是國外學者們對寬禁帶半導體封裝技術(shù)和趨勢的及時總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預演判斷，講述寬禁帶功率半導體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷卻技術(shù)和散熱器設(shè)計進行了介紹。然后，考慮到功率器件的質(zhì)量必須通過各種測試和可靠性驗證方法來評估，還介紹了瞬態(tài)熱測試的原理和方法，同時闡述了各種可靠性測試的機理和選擇動機。最后，就計

本書對半導體存儲器技術(shù)進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術(shù)在機器學習或深度學習中的新型應(yīng)用。

在半導體芯片被廣泛關(guān)注的當下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導體芯片原理、設(shè)計、制造工藝的學習參考書�！稑O簡圖解半導體技術(shù)基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡單明了地介紹了什么是半導體以及半導體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細介紹了ISI的開發(fā)與設(shè)計、ISI制造的前端工程、ISI制造的后端工程以使讀者全面了解集成電路芯片的設(shè)計技術(shù)、制造工藝和測試、封裝技術(shù)。最后，介紹了代表性半導體元件以及半導體工藝的發(fā)展極限。本書面向電子技術(shù)，特別

本書首次利用半導體超晶格作為真隨機數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對超晶格作為混沌熵源時所涉及的器件設(shè)計、混沌信號分析、隨機數(shù)提取等問題進行研究，從理論上對超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機理進行了研究，從實踐上實現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機數(shù)發(fā)生器設(shè)計及產(chǎn)生真隨機數(shù)的評估。

這是一本介紹半導體工作原理的入門類讀物。全書共分4章，包括第1章的半導體的作用、類型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài)；第2章的理解導體、絕緣體和半導體的區(qū)別，以及P型半導體和N型半導體的特性；第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書適合想學習半導體的初學者閱讀，也可以作為相關(guān)企事業(yè)單位人員的科普讀物。

暫無

彈性半導體結(jié)構(gòu)的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復雜�！稄椥园雽�體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學、連續(xù)介質(zhì)熱力學及靜電學的基本原理，建立了半導體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學及板殼力學的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導體結(jié)構(gòu)（撓*電半導體結(jié)構(gòu)）在靜態(tài)加載、失穩(wěn)、振動時的變形及載流子分布等。作為該理論模型的應(yīng)用，研究了壓電半導體材料的變形傳感及機械力對電子電路中電流的調(diào)控。

本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學物質(zhì)進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，并介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術(shù)。