井中雷達成像理論及技術(shù)是探測地面以下介質(zhì)的物理特性和分布規(guī)律的一種先進理論和技術(shù)，以其更大深度、近距離目標探測、噪聲干擾小等一系列優(yōu)點，而被地質(zhì)和石化行業(yè)所廣泛采用。本書從理論與工程應(yīng)用相結(jié)合的角度，系統(tǒng)地介紹了井中雷達的主要內(nèi)容，包括井中雷達的基本原理、瞬態(tài)脈沖在井周地質(zhì)中的傳播特性、適用于井中的天線系統(tǒng)、發(fā)射與接收

本書介紹自主車輛感知、環(huán)境建圖、運動跟蹤、異常診斷等在理論和方法上取得的進展。共分8章：第1章概述智能車輛的定義、關(guān)鍵技術(shù)及其研究現(xiàn)狀和產(chǎn)業(yè)化前景；第2章介紹交通標志和信號燈檢測與識別的算法設(shè)計及檢測技術(shù)；第3章討論圖像去霧算法及其在交通場景中的應(yīng)用；第4章探討激光雷達的動態(tài)建圖及車輛的狀態(tài)估計與參數(shù)測試；第5章研究多

《慣性器件性能天地環(huán)境差分析與試驗方法》針對慣性器件在空間工作環(huán)境和地面測試環(huán)境中存在的性能差異現(xiàn)象，研究慣性器件性能的天地環(huán)境差問題，并以液浮陀螺儀和擺式加速度計兩種典型的慣性器件為例進行詳細的過載振動復合環(huán)境效應(yīng)分析，提出針對離心振動復合試驗系統(tǒng)的無模型自適應(yīng)滑�？刂扑惴ǎ�*后介紹慣性器件天地環(huán)境差試驗方法和試驗情

本書系統(tǒng)地介紹了基于云開發(fā)的全棧式微信小程序開發(fā)流程和實用技術(shù)，涵蓋從小程序前端基礎(chǔ)到后端云函數(shù)、數(shù)據(jù)庫、云存儲等技術(shù)。全書內(nèi)容由淺入深、循序漸進，案例豐富，通過實戰(zhàn)項目的完整介紹使讀者可以將所學的知識更好地應(yīng)用到實際開發(fā)中，從而快速具備獨立完成小程序項目開發(fā)和迭代的能力。 本書編者均具有多年教學實踐經(jīng)驗和豐富的企業(yè)級

Premiere、AfterEffects、Photoshop是影視設(shè)計相關(guān)行業(yè)常用的三大軟件。本書通過大量的實戰(zhàn)案例，系統(tǒng)講述了利用這三款軟件進行影視設(shè)計的方法和技巧。全書分3篇：第1～10章為Premiere篇，從Premiere基礎(chǔ)知識講起，全面介紹了Premiere在影視剪輯、廣告動畫等行業(yè)的應(yīng)用；第11～21

5G與云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的結(jié)合正在加速整個社會的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，推動著整個社會走向數(shù)字孿生。本書提出面向2030年的“數(shù)字孿生”和“智慧泛在”的社會發(fā)展愿景，闡述在該社會形態(tài)下的移動通信應(yīng)用場景，包括通感互聯(lián)、交互式全息、智能交互、超能交通、精準醫(yī)療、孿生工/農(nóng)業(yè)等，并以此推導出在這些典型應(yīng)用場景下的通

本書圍繞基站天線測試技術(shù)與實踐，首先全面介紹了移動通信基站天線的發(fā)展歷史、設(shè)計原理與結(jié)構(gòu)，以及基站天線的種類和應(yīng)用；接下來對開展基站天線檢測的依據(jù)，即天線標準組織及架構(gòu)、標準內(nèi)容等做了詳細的闡述；然后重點對基站天線的技術(shù)要求、測試場地和測試方法進行了講解，此外還重點對作者所在實驗室長期從事的基站天線測試工作積累的實踐經(jīng)

本書采取項目式教材的編寫方法，系統(tǒng)地介紹了電子技術(shù)的基本概念、基本理論、基本方法及其在實際中的應(yīng)用。 本書共8個項目，主要內(nèi)容包括常用半導體器件、直流穩(wěn)壓電源基本知識、分立元件基本放大電路、集成運算放大電路及其應(yīng)用、振蕩電路應(yīng)用基礎(chǔ)、門電路及組合邏輯電路、觸發(fā)器和時序邏輯電路、模/數(shù)與數(shù)/模轉(zhuǎn)換電路；并且按照教育部要求

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其

本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機理及其相關(guān)理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低